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北京京誠宏泰科技有限公司銷售英飛凌IGBT模塊；可控硅模塊；整流橋模塊；二極管模塊；晶閘管；可控硅，電容，電源，風(fēng)機，傳感器，IPM模塊;半導(dǎo)體功率模塊;變頻器配件，驅(qū)動板，控制板，CUVC板

IHM B 1700 V 2400A 190 mm 單開關(guān) IGBT 模塊，配有第四代溝槽柵/場終止 IGBT，

IHV B 3300 V 1000 A 130 mm 單開關(guān) IGBT 模塊，具有第三代 TRENCHSTOP™ IGBT、低開關(guān)損耗和發(fā)射極控制二極管——適用于牽引和工業(yè)應(yīng)用的解決方案

FZ1000R33HL3_S2
FZ1500R33HL3_S2
FF200R33KF2C
FZ400R33KF2C
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IGBT模塊FZ1000R33HL3
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IGBT模塊FZ2400R33HE4
IGBT模塊FF450R33T3E3
IGBT模塊FZ825R33HE4D

高直流電壓穩(wěn)定性
高短路能力
自限制短路電流
低開關(guān)損耗
出色的堅固性
Tvj op = 150°C
低 VCEsat，具有正溫度系數(shù)
鋁碳化硅基板，用于提高熱循環(huán)能力
封裝的 CTI > 600
絕緣基板

具有高電流能力的現(xiàn)有封裝，允許在相同框架尺寸的情況下增加逆變器輸出功率

北京京誠宏泰科技有限公司是一家集渠道、分銷、經(jīng)銷、直銷及OEM模式為一體的電力電子半導(dǎo)體銷售和電力電子行業(yè)解決方案的產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)商。

銷售國內(nèi)外品牌電力電子半導(dǎo)體器件、變頻器、變頻器配件、鋁電解電容和功率模塊；主要經(jīng)銷德國Infineon英飛凌、EUPEC優(yōu)派克、

SIEMENS西門子、西門康Semikron、 IXYS艾賽斯、AEG、Vishay、danfoss丹佛斯、TYCO泰科，DYNEX 丹尼克斯、Vacon偉肯、Mitsubishi三菱、

Fuji富士、Fairchild飛兆半導(dǎo)體、TOSHIBA東芝、HITACHI日立、SanRex三社、Sanken三肯、POWEREX,因達NIEC，美國IR，瑞士ABB，POWERSEM,NELL尼爾；yaskawa安川；

英國西瑪，西班牙CATELEC等公司生產(chǎn)的 IGBT、IGCT、IPM、PIM、可控硅晶閘管、GTO、GTR達林頓、整流橋、二極管、場效應(yīng)模塊；日本富士（FUJI）、

日之出（HINODE）、法國羅蘭（FERRAZ）、英國GOULD、美國BUSSMANN快速熔斷器；KEMET，意大利Arcotronics（AV),

Itelcond,意大利FACON,德國伊凱基ELECTRONICON，法國湯姆遜TPC，日本日立、黑金剛NIPPON chemi-con、尼吉康nichicon；

紅寶石，epcos艾普科斯、瑞典RIFA力發(fā)、英國BHC，BHC Aerovox 電解電容以及美國CDE無感電容；瑞士CONCEPT IGBT驅(qū)動、光耦、變頻器主控板、驅(qū)動板，電源板，通信板，接口板

IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

MOSFET全稱功率場效應(yīng)晶體管。它的三個極分別是源極（S）、漏極（D）和柵極（G）。

缺點：擊穿電壓低，工作電流小。北京京誠宏泰科技有限公司IGBT模塊FZ2400R17KF4

IGBT全稱絕緣柵雙極晶體管，是MOSFET和GTR（功率晶管）相結(jié)合的產(chǎn)物。它的三個極分別是集電極（C）、發(fā)射極（E）和柵極（G）。

特點：擊穿電壓可達1200V，集電極飽和電流已超過1500A。由IGBT作為逆變器件的變頻器的容量達250kVA以上，工作頻率可達20kHz。

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北京京誠宏泰科技有限公司銷售IGBT模塊；可控硅模塊；晶閘管；二極管模塊；整流橋模塊；PLC模塊；電容；變頻器備件
1700V IGBT英飛凌FZ1500R33HL3_S2

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1	IGBT芯片的功率損耗。這個值可以通過IGBT芯片廠家提供的datasheet中查到。通常來說，功率損耗越大，工作結(jié)溫就越高。
2	IGBT芯片的封裝方式。不同的封裝方式會影響散熱效率。一般來說，背面帶有散熱片的封裝方式散熱效果較好。
3	外部散熱器的散熱能力。外部散熱器的散熱能力也會影響工作結(jié)溫。散熱器的大小、材料以及通風(fēng)情況都會影響散熱效果。